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美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡 - 篮球对阵分析

IT之家 10 月 22 日消息，美光于当地时间昨日举办了2026年度技术网络研讨会，讨论了DRAM、泛HBM、NAND与SSD的发展方向，本文将聚焦闪存类别。

美光在此次活动中预告了G11 NAND闪存，该产品预计在2027年下半年实现产能爬坡，这家公司似乎跳过了G10世代。

G11 NAND的堆叠层数超过400层，采用了晶圆对晶圆键合技术，其单位面积的存储密度约为现有276层G9 NAND的两倍，同时I/O速率最高可提升1.5倍，数据传输能耗则能降低25%以上。

在G11之后，美光计划在NAND中引入突破性的高迁移率材料，以实现超密集的单元架构，并进一步增强节能特性。

美光还介绍了两种AI级数据中心NAND设计，分别是基于SLC的GPU直连IOPS优化产品和类似于HBF定义的带宽优化产品。

此外，美光展示了其全面的AI优化存储解决方案。